Thiết bị phân tích phân cực ellip bằng phổ VUV UVISEL 2 VUV

Hãng sản xuất: Horiba - Nhật Bản

Giới thiệu chung

Thiết bị phân tích phân cực ellip bằng phổ VUV cho độ chính xác cao, thời gian đo nhanh, khả năng đạt chân không nhanh, thời gian thay đổi mẫu ngắn và tiêu thụ ít nitơ.

• Mô phỏng pha bằng PEM tại tần số 50KHz.
• Làm sạch bằng nitơ trong 45 giây.
• Đạt chân không trong 2 phút
• Đo toàn bộ dải phổ trong 8 phút.
• 02 chế độ làm việc: làm sạch nitơ và chân không, làm sạch nitơ liên tục.
• Dải phổ: 147nm~850nm, 147nm~2100nm

Thông số kĩ thuật

Với 5 cấu hình:

Thông số kỹ thuật UVISEL:

• Dải phổ: từ 142 đến 2100 nm │210-880 nm│190-880 nm│245-2100 nm│190-2100 nm│142-2100 nm│
• Đầu thu: Bộ đơn sắc phân giải cao với đầu thu độ nhạy cao

Cấu hình bằng tay

• Kích thước điểm: 0.08 – 0.1 – 1 mm (lỗ ngắm); 50µm FWHM theo yêu cầu
• Bệ mẫu: 150 mm, điều chỉnh chiều cao (4mm) và độ nghiêng bằng tay
• Giác kế: góc điều chỉnh bằng tay từ 55° tới 90° với mỗi bước điều chỉnh là 5°

Cấu hình tự động

• Kích thước điểm điều chỉnh bằng tay hoặc tự động: 0.08 - 0.1 - 1 mm hoặc 0.08 - 0.12 - 0.25 - 1.2 mm (lỗ ngắm)
• Bệ mẫu tự động: bệ mẫu XY 200x200mm, 300x300 mm XY , điều chỉnh độ cao (4mm) và độ nghiêng bằng tay, bệ mẫu XYZ , bệ mẫu theta
• Giác kế tự động: góc điều chỉnh tự động 40° tới 90° với bước điều chỉnh 0.01°

Giác kế tích hợp

• Góc tới điều chỉnh bằng tay: 35° tới 90° với bước điều chỉnh 5° 
• Giá đỡ mẫu: điều chỉnh độ cao bằng tay 150mm, 20mm
• Có thể tùy chọn hệ thống chuẩn trực tự động để định tuyến mẫu
• Kích thước: chiều rộng: 25cm; chiều cao: 35cm; chiều sâu: 21 cm

Cấu hình tại chỗ

• Sự thích ứng về mặt cơ học: mép bích CF35 hoặc KF40
• Dễ dàng chuyển đổi qua lại giữa cấu hình trong và ngoài
• More information

Tùy chọn

• Phụ kiện: cell điều khiển bằng nhiệt độ, cell chứa mẫu lỏng, cell điện hóa, module phản xạ để đo mức phản xạ tại góc tới 0° và 1 số phụ kiện khác
• Phản xạ kế quang phổ: 450-850nm, kích thước điểm 10µm
• Bộ phận quan sát: CCD camera
• More information

Hiệu suất

•  Độ chính xác: Ψ= 45°±0.02° and Δ=0°±0.02° được đo tại cấu hình truyền thẳng trong không khí 1.5 – 5 eV
• Độ lặp lại: NIST 1000Å SiO2/Si (190-2100 nm): d ± 0.1 % – n(632.8nm) ± 0.0001